| 发明名称 |
EPROM WITH ULTRAVIOLET RADIATION TRANSPARENT SILICON NITRIDE PASSIVATION LAYER |
| 摘要 |
Un dispositif de circuit intégré (2) d'une mémoire morte programmable et effaçable comprend une couche supérieure de passivation (9) en nitrure de silicium transparente aux rayonnements ultra-violets. L'indice de réfraction de la pellicule en nitrure de silicium se situe dans la plage de 1,93 9E 0,03. |
| 申请公布号 |
WO8604736(A1) |
申请公布日期 |
1986.08.14 |
| 申请号 |
WO1986US00202 |
申请日期 |
1986.01.30 |
| 申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES, INC. |
发明人 |
ALLEN, BERT, L.;FOROUCHI, A., RAHIM |
| 分类号 |
H01L27/112;G11C16/04;H01L21/318;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/78;H01L29/34;G11C11/34 |
主分类号 |
H01L27/112 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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