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<P>A.PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR EN FILM MINCE.</P><P>B.PROCEDE CARACTERISE EN CE QU'ON REALISE UN FILM SEMI-CONDUCTEUR POLYCRISTALLIN 2 SUR UN SUPPORT PREDETERMINE 1, ON IMPLANTE DES IONS PREDETERMINES DANS LE FILM SEMI-CONDUCTEUR POLYCRISTALLIN MINCE POUR FORMER UN FILM SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE MINCE 3, ON REALISE UN FILM D'ISOLATION DE PORTE 8 ET UNE ELECTRODE DE PORTE 7 SUR LE FILM SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE 4, ON DOPE DES IMPURETES FORMANT LA REGION DE SOURCE 9 ET LA REGION DE DRAIN 10 DANS LE FILM SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE 4 EN UTILISANT L'ELECTRODE DE PORTE 7 ET LE FILM ISOLANT DE PORTE 8 COMME DES MASQUES, ET ON EFFECTUE UN RECUIT POUR DEVELOPPER EN PHASE SOLIDE LE FILM SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE MINCE ET EN MEME TEMPS POUR ACTIVER ELECTRIQUEMENT LES IMPURETES ET FORMER LA REGION DE SOURCE ET LA REGION DE DRAIN 9, 10.</P><P>C.L'INVENTION CONCERNE LA FABRICATION DES TRANSISTORS EN FILM MINCE.</P>
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