| 发明名称 |
METHOD OF PRODUCING AERIAL DIFFUSED REGION OF HIGH ASPECT RATIO IN SEMICONDUCTOR ARTICLE AND DIODE PRODUCED THEREBY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS6122672(A) |
申请公布日期 |
1986.01.31 |
| 申请号 |
JP19850000016 |
申请日期 |
1985.01.04 |
| 申请人 |
GENERAL ELECTRIC CO |
发明人 |
TOOMASU RICHIYAADO ANSONII;DAGURASU YUUJIN HIYUUSUTON;JIEIMUZU ANSONII RUUGURAN |
| 分类号 |
H01L29/861;H01L21/225;H01L21/24;H01L21/268 |
主分类号 |
H01L29/861 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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