| 主权项 |
1.一用以在一基体上沈积一氢化非晶形半导体薄膜之方法,该方法包括:将分别由第一离子源和第二离子源所产生的第一和第二离子束同时对向一由一半导体物质组成之第一靶体,该薄膜即由该半导体物质形成,该第一离子束包括一从该第上靶体将该半导体物质溅散出来之溅散离子,而该第二离子束包括能减低该沈积薄膜中的定域状态之氢离子;独立地控制该第一和第二离子束之离子的相对能量使溅散离子能有效地从该第一靶体溅散出半导体物质,以及使该氢离子的能量不超过约200电子伏特;以及将由该第一靶体溅散出的产物收集于该某体上,藉此,沈积之氢化非晶形半导体物质薄膜实质上不含多氢化物。2.一依请求专利部份第1.项所述之方法,其中,该等溅散杂子包含氩离子。3.一依请求专利部份第2.项所述之方法,其中,该氩离子束具有一在大约20 至 5O mA之间的电流。4.一依请求专利部份第1.项所述之方法,其中,该第一靶体包含相当纯之矽。5.一、夫请求专利部份第4.项所述之方法,包括将该基体之温度提高至大约100℃至300℃之间。6.一依请求专利部份第1.项所述之方法,包括以紫外光照射该基体。7.一依请求专利部份第1.项所述之方法,其中,该靶体包含一周期表之第Ⅳa族中之元素。8.一依请求专利部份第1.项所述之方法,其中,该基体包含玻璃.熔矽石与矽等物质之其中之一。9.一依请求专利部份第1.项所述之方法,其中,该墓体系为金属材质制成。10.一依请求专利部份第9.项所述之方法,其中,该基体系为一不锈钢。11.一依请求专利部份第1.项所述之方法,包括将掺杂剂离子注入该氢化离子束中。12.一依请求专利部份第11.项所述之方法,其中,该等掺杂剂离子包含硼与磷离子之一种。13.一依请求专利部份第1.项所述之方法,包括:将分别由第三离子源和第四离子源所产生的第三和第四离子束同时对向一由一欲插入该薄膜之半导体物质组成第二靶体,该第三离子束包括从该第二靶体将该物质溅散出来之溅散离子,而该第四离子束包括能减低该沈积薄膜中的定域状态之氢离子;独立地控制该第三和第四离子束之离子的相对能量使溅散离子能有效地从该第二靶体溅散出半导体物质,以及使该氢离子的能量不超过约200电子伏特;以及将由该第二靶体溅散出的产物收集于该基体上,藉此,沈积之氢化非晶形半导体合金物质之半导体合金薄膜实质上不含多氢化物。14.一依请求专利部份第13.项所述之方法,其中,该第一靶体系为相当纯之锗构件,而该第二靶体则为相当纯之矽构成。15.一依请求专利部份第1.项所述之方法,包括将电子射向该基体。16.一依请求专利部份第1.项所述之方法,其中,该第一靶体包含一由将被沈积成该薄膜之至少两种元素半导体合成之合金。17.一依请求专利部份第16.项所述之方法,其中,该靶体包含一出矽与锗合金之相当纯之合金。 |
