| 主权项 |
1.一薄膜电晶体,包含一作为其转换半导体部份之MPx薄膜,其M至少为一种硷金属,P至少为一种半导素,且x之范围实上介于15及无限大之间。2.如专利请求第1项之薄膜电晶体,其中所述之电晶体为MESFET。3.如专利请求第1项之薄膜电晶体,其中所述之电晶体为一MISFET。4.如专利请求第1项之薄膜电晶体,以及与所述MPx薄膜接触之一薄膜绝缘体。5.如专利请求第4项薄膜电晶体,其中所述绝缘层基本上由SiO2组成。6.如专利请求第4项之薄膜电晶体,其中所述绝缘层基本上由Al2O3。7.如专利请求第4项之薄膜电晶体,其中所述绝缘层基本上由Si3N4组成。8.如专利请求第4项之薄膜电晶体,其中所述绝缘层包含一含半导素之化合物。9.如专利请求第4项之薄膜电晶体,其中所述绝缘层基本上一含半导素之化合物组成。10.如专利请求第4项之薄膜电晶体,其中所述绝缘层包含至少一种含氮之化合物及至少一种其他之半导素。11.如专利请求第4项之薄膜电晶体,其中所述绝缘层包含P3N5,其中N为氮且P至少为一种半导素。12.如专利请求第11项之薄膜电晶体,其中所述P3N5之P包含磷。13.如专利请求第11项之薄膜电晶体,其中所述P3N5之P基本上由磷组成。14.如专利请求第4项之薄膜电晶体,其中所述绝缘层基本上由P3N5组成,其中N为氮且P至少为一种半导素。15.如专利请求第14项之薄膜电晶体,其中所述P3N5之P包含磷。16.如专利请求第14项之薄膜电晶体,其中所述P3N5之P基本上由磷组成。17.如专利请求第1项之薄膜电晶体,其中所述半导体部份包含少量金属以减少能隙中之缺陷密度。18.如专利请求第17项之薄膜电晶体,其中所述金属选自铁、铭及镍。19.如专利请求第17项之薄膜电晶体,其中所述金属之存在不致大量减低所述半导体部份之电阻系数。20.如专利请求第19项之薄膜电晶体,其中所述金属包含实质上少于所述半导体部份中原子之1/2%。21.如专利请求第20项之薄膜电晶体,其中所述金属选自铁、铬及镍。22.如专利请求第21项之薄膜电晶体,其中所述金属为镍。23.如专利请求第1项之薄膜电晶体,其中所述半导体部份包含少量金属,以实质上增加所述半导体部份中至少一部份之导电度。24.如专利请求第23项之薄膜电晶体,其中所述金属选自铁、铬及镍。25.如专利请求第23项之薄膜电晶体,其中所述金属包含实质上少于所述半导体部份中该一部份原子之1/2%。26.如专利请求第25项之薄膜电晶体,其中所述金属包含实质上少于所述半导体部份中该一部份原子之1%。27.如专利请求第26项之薄膜电晶体,其中所述该一部份邻接所述电晶体之金属层。28.如专利请求第1项之薄膜电晶体,以及与所述半导体层接触而包含钛之一金属层。29.如专利请求第1项之薄膜电晶体,以及与所述半导体层接触而基本上由钛组成之一金属层。30.如专利请求第1至29项任一项中之薄膜电晶体,其中所述半导体部份基本上由KP15组成。31.如专利请求第1项之薄膜电晶体,其中所述MPx膜为无定形。32.一薄膜电晶体,包含一作为其受转换半导体部份之MPx层,其中M至少为一种硷金属,P至少为一种半导素,且x之范围实上介于15及无限大之间,以及一含半导素之绝缘层。33.如专利请求第32项之薄膜电晶体,其中所述绝缘层包含氮。34.如专利请求第33项之薄膜电晶体,其中所述绝缘层包含胵少一种除氮外之其他半导素。35.如专利请求第33项之薄膜电晶体,其中所述绝缘层包含P3N5。36.如专利请求第33项之薄膜电晶体,其中所述绝缘层基本上由P3N5组成。37.如专利请求第32至36项任一项之半导体装置,其中所述半导素为磷。38.如专利请求第37项之薄膜电晶体,其中x为15。39.如专利请求第38项之薄膜电晶体,其中所述硷金属为钾。40.如专利请求第39项之薄膜电晶体,其中所述半导体部份为无定形。41.如专利请求第32至36项之半导体装置,其中所述半导体装置为无定形。 |
