发明名称 Dip process for producing transparent electrically conductive doped indium oxide layers.
摘要 <p>Bei einem Verfahren zum Herstellen transparenter, elektrisch leitfähiger, dotierter Indiumoxidschichten in einem Tauchprozeß) bei welchem das zu beschichtende Substrat in eine Lösung getaucht wird, welche hydrolysierbare Verbindungen des Indiums enthält, worauf das Substrat aus dieser Lösung gezogen, getrocknet und bei Temperaturen bis zu 500°C getempert wird, wird eine Tauchlösung verwendet, welche neben der Indium-Verbindung noch mindestens eine hydrolysierbare Verbindung eines Elements der 2., 4. oder 5. Hauptgruppe, der 1., 2., 4., 5., oder 8. Nebengruppe des Periodischen Systems der Elemente oder der Seltenen Erden enthält.</p>
申请公布号 EP0131827(A1) 申请公布日期 1985.01.23
申请号 EP19840107600 申请日期 1984.06.30
申请人 SCHOTT GLASWERKE;CARL-ZEISS-STIFTUNG TRADING AS SCHOTT GLASWERKE 发明人 ARFSTEN, NANNING, DR.;KAUFMANN, REINHARD;SCHUBERT, DORIS
分类号 H01B5/14;C03C17/23;C03C17/25;C23C14/08;C23C18/16;C23C18/31;G02F1/1343;G09F9/30;H01B13/00 主分类号 H01B5/14
代理机构 代理人
主权项
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