发明名称 THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE.
摘要 Un certain nombre de techniques sont décrites permettant la fabrication de circuits intégrés à agencement tridimensionnel de capacité ultraélevée. Dans un mode de réalisation ces techniques peuvent comprendre: 1) synchronisation de puissance d'une couche à l'autre; 2) création de couches multiples par la connexion totale verticale en parallèle de sections identiques; 3) laminage fiable de sections de circuit intégré en interposant un coussin "hydraulique" entre chaque section 4) avec une interconnexion verticale thermiquement élastique par l'intermédiaire d'une bande de liaison à semiconducteur empilable; 5) manipulation individuelle des sections fragiles par commande de gravité; 6) amélioration du rendement par la création de couches multiples utilisant des sections préfabriquées qui ont déjà réussi de tests fonctionnels; 7) interconnexion verticale à la masse de supports à semiconducteur par soudage à action capillaire depuis les faces extérieures segmentées de la pile de sections et, 8) dans quelques variantes, refroidissement du produit pendant l'utilisation en renfermant une longue chaîne de sections empilées dans un tube au travers duquel un fluide refroidisseur circule cycliquement par pompage.
申请公布号 EP0121519(A1) 申请公布日期 1984.10.17
申请号 EP19830901339 申请日期 1983.05.05
申请人 HARRIS, JAMES WILLIAM 发明人 HARRIS, JAMES WILLIAM
分类号 H01L25/18;G11C5/00;G11C16/18;G11C17/18;H01L23/498;H01L23/538;H01L25/065;H01L25/07;H05K1/18;(IPC1-7):01L25/08;01L23/52;01L23/48 主分类号 H01L25/18
代理机构 代理人
主权项
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