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<P>FET A BARRIERE SCHOTTKY A GAIN ELEVE DANS LEQUEL L'ELECTRODE DE GRILLE 6 EST SITUEE DIRECTEMENT SUR UN CORPS SEMICONDUCTEUR 1. UNE COUCHE FORTEMENT DOPEE 2, QUI CONSTITUE UNE PARTIE DU CANAL DU TRANSISTOR, S'ETEND AU-DESSOUS DE L'ELECTRODE 6, ENTRE LES REGIONS DE SOURCE 4 ET DE DRAIN 5. UNE REGION SUPERFICIELLE 7 FORTEMENT DOPEE DE TYPE DE CONDUCTIVITE OPPOSE A CELUI DE LA COUCHE 2 EST SITUEE ENTRE L'ELECTRODE 6 ET LA COUCHE 2. LA REGION 7, DONT L'EPAISSEUR EST FAIBLE AU POINT QU'ELLE EST ENTIEREMENT APPAUVRIE DANS LA CONDITION DE TENSION NULLE DE POLARISATION DE GRILLE, AUGMENTE LA HAUTEUR EFFECTIVE DE LA BARRIERE SCHOTTKY. LA COUCHE 2 EST TELLEMENT MINCE QU'ELLE PEUT SUPPORTER SANS CLAQUAGE UN CHAMP ELECTRIQUE SUPERIEUR AU CHAMP CRITIQUE. AINSI, LA CONCENTRATION DE DOPAGE DE LA COUCHE 2 PEUT ETRE AUGMENTEE CE QUI AUGMENTE EGALEMENT LE GAIN DU TRANSISTOR. DU COTE DRAIN, LA REGION 7 S'ETEND AU-DELA DE L'ELECTRODE DE GRILLE 6 POUR REDUIRE LA CHAMP ELECTRIQUE EN SURFACE. L'INCLUSION D'UNE COUCHE PLUS FAIBLEMENT DOPEE 13 DU MEME TYPE DE CONDUCTIVITE QUE LA COUCHE 2 ACCROIT LA MOBILITE DES PORTEURS DE CHARGE DANS LE CANAL.</P>
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