Integrated cirucit with a programmable non-volatile semiconductor memory.

摘要

Es wird eine Schaltung mit einer Überwachungsschaltung für die Programmierspannung Vp der in einer integrierten Schaltung angeordneten Feldeffekt-Speichertranistoren angegeben, deren Schwellspannungen unter Verwendung einer mitintegrierten Programmierlogik veränderbar sind, welche an einer Versorgungsspannung Vdd kleiner als die Programmierspannung Vp liegt und die zum Programmieren der Speichertransistoren mindestens beim Schreiben mittels eines kurzzeitig angelegten Schreibimpulses dient. Die Überwachungsschaltung enthält einen Schwellwertschalter, dessen Spannungsversorgungsanschluß (1) an der Programmierspannung Vp liegt und dessen Referenzspannung an einer Referenzquelle (I) gegen das Substrat abgegriffen wird. Die Referenzspannungsquelle (I) enthält eine in Sperrichtung durchbrechende integrierte Zenerdiode oder eine Reihenschaltung von mehreren in Sperrichtung durchbrechende integrierte Zenerdioden. Ein Schutz gegen unbeabsichtigt auftretende Programmierungsimpulse, welche beim ungewollten und unbeabsichtigten Abschalten der Spannungsversorgung auftreten können, wird dadurch erreicht, daß das Ausgangssignal des Schwellwertschalters (II) mittels einer geeigneten Überwachungslogik die Wortleitung (WL1...WLn), mit denen wortweise die Gate-Elektroden der Speichertransistoren verbunden sind, mit der Substratzone der Programmierlogik verbindet.