发明名称 PROCEDE POUR CONTACTER DES COMPOSANTS A SEMICONDUCTEURS ET LIAISON ELECTRIQUE REALISEE A L'AIDE DE CE PROCEDE
摘要 <P>L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE POUR CONTACTER DES COMPOSANTS A SEMICONDUCTEURS 4 AVEC UN FIL DE CONTACT 6. </P><P>L'EXTREMITE DU FIL DE CONTACT 6, QUI EST ELOIGNEE DU COMPOSANT A SEMICONDUCTEURS 4, EST FIXEE A UN SUPPORT DE RACCORDEMENT 2, PAR UN ECRASEMENT PAR FORMES COMPLEMENTAIRES, PAR SERRAGE OU PAR MATAGE.</P><P>APPLICATION AU CONTACTAGE DE DIODES LUMINESCENTES, DE DISPOSITIFS D'AFFICHAGE, DE PHOTODIODES, ET D'AUTRES DISPOSITIFS SIMILAIRES.</P>
申请公布号 FR2487578(A1) 申请公布日期 1982.01.29
申请号 FR19810014257 申请日期 1981.07.22
申请人 SIEMENS AG 发明人 HANS-HELLMUTH CUNO, ALBERT HEIDER ET GUNTHER WAITL
分类号 H01L21/60;H01L21/603;H01R4/02;H01R4/18 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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