| 摘要 |
<p>Integrierte Verzögerungsschaltung mit einem bipolaren PNP-Transistor mit einem eindiffundierten Kondensator mit einer vorbestimmten Ladungsspeicherkapazität als Zeitverzögerungselement und mit einer an diesem Kondensator angeschlossenen Stromsteuerschaltung zur Steuerung des den Transistor durchfließenden Stromes. Die Stromsteuerschaltung enthält mindestens eine Schottky-Diode (D3) mit einer Ladungsspeicherkapazität, die vorzugsweise wesentlich kleiner ist, als die Ladungsspeicherkapazität des Transistors (T8, T9). Ist der Schalter geschlossen, dann wird ein konstanter, den Transistor durchfließenden Strom aufrechterhalten, und wenn der Schalter geöffnet ist, dann nimmt der den Transistor durchfließende Strom exponentiell ab. Koppelt man den Ausgangsstrom des Transistors an eine Vergleichsstufe, dann lassen sich genau gesteuerte Verzögerungszeiten wesentlicher Dauer in einer bipolaren Schaltungstechnik erzielen.</p> |
