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经营范围
发明名称
PARALLEL READ CIRCUIT FOR TESTING HIGH DENSITY MEMORIES
摘要
申请公布号
GB8911895(D0)
申请公布日期
1989.07.12
申请号
GB19890011895
申请日期
1989.05.24
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人
分类号
G11C29/00;G11C29/28;G11C29/34;G11C29/38
主分类号
G11C29/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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