| 摘要 |
<P>L'invention concerne les mémoires à semi-conducteurs. Un circuit bistable comprend deux transistors à effet de champ, Q2 et Q4 , qui ont une tension de seuil variable, et deux transistors à effet de champ Q1 , Q3 , qui ont une tension de seuil fixe. La modification des tensions de seuil des transistors </P><P>Q2 et Q3 sous l'effet d'une élévation temporaire de la tension d'alimentation, permet d'effectuer un enregistrement d'information de type non volatif, c'est-à-dire que l'information enregistrée n'est pas perdue en cas de coupure de la tension d'alimentation du circuit. </P><P>Application à l'informatique.</P>
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