| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de formation d'un circuit intégré CMOS dans un substrat semi-conducteur, dans lequel on utilise un premier photomasque pour définir des structures de portes semi-conductrices, un second photomasque pour définir des puits d'un type de conductivité opposé à celui du substrat, un troisième photomasque pour définir des ouvertures de contact, un quatrième photomasque pour définir des ouvertures de flots de liaison. </P><P>Selon l'invention, on forme au moins une région très conductrice 44 dans le substrat, qui s'étend dans une région de puits 15,42, 43 d'un type de conductivité opposé à celui du substrat et qui en est séparée par la région de puits; on modifie les caractéristiques électriques d'au moins une partie 18, 22, 38, 39 de la région de puits par bombardement d'ions; et on forme un contact électrique vers la région très conductrice. </P><P>L'invention s'applique notamment aux semi-conducteurs.</P>
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