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Die Erfindung bezieht sich auf eine Solarzelle (10) mit zwischen Front- und Rückkontakt (12, 14) verlaufenden photoaktiven Halbleiterschichten (18) mit integraler Schutzdiode (20) einer der Solarzelle entgegen gerichteten Polarität mit frontseitig verlaufender p-leitender Halbleiterschicht (26), wobei die Schutzdiode mit einer Metallisierung (28) kontaktiert ist, die mit dem Frontkontakt (14) verbunden ist. Um eine hohe Stabilität der Schutzdiode zu gewährleisten, insbesondere eine Migration von Metallatomen zu unterbinden, wird vorgeschlagen, dass auf der p-leitenden Halbleiterschicht (26) der Schutzdiode (20) ein n-leitende Schicht (30) verläuft, die die Metallisierung (28) rahmenartig umgibt.
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