| 发明名称 |
PREPARATION OF GALLIUM ARSENIDE SEMICONDUCTOR UNIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS52106690(A) |
申请公布日期 |
1977.09.07 |
| 申请号 |
JP19760023131 |
申请日期 |
1976.03.05 |
| 申请人 |
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO |
发明人 |
NAKANISHI TAKATOSHI |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/20;H01L29/864 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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