晶片接合结构及其接合方法

摘要

晶片接合方法的步骤包含提供二晶片。每一晶片的制造方法包含形成一第一介电层于一基板上。嵌合多个金属垫于第一介电层上。形成多个凹陷于至少一晶片之第一介电层上。这些凹陷分别介于这些金属垫之间。形成一第二介电层于具有凹陷之晶片之第一介电层上，并覆盖于此晶片之这些凹陷及这些金属垫。接合二晶片及令其中一晶片之这些凹陷与另一晶片之表面构成多个空腔，且第二介电层位于这些空腔内。以机械驱动方式令位于空腔内之第二介电层填满空腔。接着，压合二晶片，并固化第二介电层，令二晶片相互固定。

主权项

一种晶片接合方法，其步骤包含：提供二晶片，每一该晶片的制造方法包含：形成一第一介电层于一基板上；以及嵌合多个金属垫于该第一介电层上；形成多个凹陷于至少一该晶片之该第一介电层上，该些凹陷分别介于该些金属垫之间；形成一第二介电层于其中一该晶片之该第一介电层上，并覆盖于该晶片之该些凹陷上及该些金属垫上；接合该二晶片，令该二晶片之该些金属垫彼此接触，以及令其中一该晶片之该些凹陷与另一该晶片之表面构成多个空腔，且该第二介电层位于该些空腔内；以机械驱动方式令该第二介电层填满该些空腔；以及压合该二晶片，并固化该第二介电层，并令该二晶片相互固定。