介电体元件及其制造方法

摘要

本发明之介电体元件之制造方法包括下述步骤：准备下部电极之步骤；于下部电极上形成介电体，制作第1积层构造之步骤；第1积层构造之退火步骤；于介电体膜上形成上部电极，制作第2积层构造之步骤；以及将第2积层构造在减压环境下以150℃以上之温度退火之步骤。