发明名称 接触窗插塞结构及其制备方法
摘要 一种应用于棋盘式动态随机存取记忆体之接触窗插塞结构,其包含一体部、二连接于该体部之脚部以及一设置于该二脚部间之介电区块。各脚部系藉由一掺杂区电气连接至一深沟渠电容器,且该掺杂区系由一浅沟隔离结构予以电气隔离。较佳地,该体部与该二脚部系由相同之导电材料(例如掺杂多晶矽)构成,而该介电区块系由硼磷矽玻璃构成。特而言之,该接触窗插塞结构可利用双重镶嵌导线技术予以制备。由于该接触窗插塞结构可大幅地降低与一字元线之重叠面积,因而可有效地降低位元线耦合效应现象。
申请公布号 TW200737481 申请公布日期 2007.10.01
申请号 TW095110871 申请日期 2006.03.29
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 车学义
分类号 H01L23/522(2006.01);H01L21/8242(2006.01) 主分类号 H01L23/522(2006.01)
代理机构 代理人 王宗梅
主权项
地址 新竹市科学工业园区力行路19号3楼
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