发明名称 | 半导体装置 | ||
摘要 | 一种半导体装置(1,1A,21,31,41,51),包括:具有形成了第一功能元件(3a)的第一功能面(3F)的第一半导体芯片(3);形成于上述第一功能面上的保护树脂层(12);形成于上述第一功能面上的周缘部,具有:从位于上述保护树脂层的与上述第一功能层相反侧的底面(12B)露出的底露出面(10B,19BB)、和从上述保护树脂层的侧面(12S)露出的侧露出面(10S,19BS),用于与外部电连接的外部连接端子(10,19,52)。 | ||
申请公布号 | CN100470770C | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
申请号 | CN200580025765.X | 申请日期 | 2005.10.06 |
申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 谷田一真;樋口晋吾;门口卓矢 |
分类号 | H01L23/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/12(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
主权项 | 1. 一种半导体装置,包括:具有形成了第一功能元件的第一功能面的第一半导体芯片;形成在上述第一功能面上的保护树脂层;和外部连接端子,其形成在上述第一功能面上的周缘部,具有从位于上述保护树脂层的与上述第一功能面侧相反一侧的底面露出的底露出面、和从上述保护树脂层的侧面露出的侧露出面,用于和外部的电连接;上述第一半导体芯片的侧面与上述保护树脂层的侧面位于同一平面;上述外部连接端子包括:被上述保护树脂层掩盖的主体部;和形成于上述主体部的表面,具有上述底露出面及上述侧露出面,由焊锡润湿性比上述主体部高的材料构成的被覆膜;上述外部连接端子的从上述保护树脂层露出的整个部分,由被覆膜所覆盖;上述被覆膜由焊锡材料以外的材料来构成。 | ||
地址 | 日本京都府 |