半导体存储设备

摘要

半导体存储装置包括：大量字线，含有一条或多条冗余字线；大量的位线对；大量的存储单元，连接到上述字线和上述位线；大量的字线驱动器，每个驱动器连接到上述字线的相应的一个端点并由大量的字线控制信号控制；以及大量的第一字线控制电路，分别位于上述字线的另一端点，每个上述第一字线控制电路接收上述字线中相应一条的信号电平，其中，在上述相应字线的信号电平为第一种电平的情况中，每个上述第一字线控制电路切换为导电状态，并将上述第一种电平信号输出到上述相应的字线，在第一种电平，连接到上述相应字线的上述存储单元中的相应存储单元变为高阻状态。而在上述相应字线的信号电平是第二种电平的情况中，上述第一字线控制电路中的每一个切换成非导电状态，在第二种电平，上述相应存储单元变成能进行数据输入/输出的一种状态。

主权项

1.一种半导体存储设备，其特征在于，包括：大量的字线，含有一条或多条冗余字线；大量的位线对；大量的存储单元，连接到所述字线和所述位线对；大量的字线驱动器，每个驱动器连接到每条所述字线的一个端点，并由大量的字线控制信号控制；及大量的第一字线控制电路，分别位于所述字线的所述另一端点，每个所述第一字线控制电路接收所述字线中相应一条的信号电平，其中在所述相应字线的所述电平为第一种电平情况下，每个所述第一字线控制电路切换成导电状态，并将所述第一电平的信号输出到所述相应字线，在所述第一种电平，连接到所述相应字线的所述存储单元中相应的存储单元变成高阻状态，及在所述相应字线的所述信号电平为第二种电平的情况下，每个所述第一字线控制电路切换成非导电状态，在所述第二种电平，所述相应存储单元变成能执行数据输入/输出的一种状态。