| 主权项 |
1.一种晶体振荡器电路,包括:一可调整之负载电容器,及用于控制负载电容器以获得一特别之中心频率之装置;及用于依据所选之负载电容器而曳动一晶体心电流之装置。2.如申请专利范围第1项之晶体振荡器电路,其中可调整之负载电容器包括一排电容器及用以将电容器在电路中关入或打开之切换装置。3.如申请专利范围第2项之晶体振荡器电路,其中在一排中每一电容器可单独与振荡器电路连接或分离。4.如申请专利范围第1,2或3项之晶体振荡器电路,其中用以曳动一晶体心电流之装置包含一排电阻器及用以将电阻器在电路中打开或关入之装置。5.如申请专利范围第4项之晶体振荡器电路,其中一排中之每一电阻器可单独与振荡器电路连接或分离。6.如申请专利范围第1-3项之任何一项之晶体振荡器电路,其中用于控制负载电容器之装置包含一多数之控制线用以决定何一电容器连接至振荡电路。7.如申请专利范围第4项之晶体振荡器电路,其中用于控制负载电容器之装置包含一多数之控制线用以决定何一电容器连接至振荡电路。8.如申请专利范围第5项之晶体振荡器电路,其中用于控制负载电容器之装置包含一多数之控制线用以决定何一电容器连接至振荡电路。9.如申请专利范围第6项之晶体振荡器电路,其中该控制线亦决定何一电流电阻器连接至振荡器电路。10.如申请专利范围第7项之晶体振荡器电路,其中该控制线亦决定何一电流电阻器连接至振荡器电路。11.如申请专利范围第8项之晶体振荡器电路,其中该控制线亦决定何一电流电阻器连接至振荡器电路。12.如申请专利范围第5项之晶体振荡器电路,其中该控制线之状态由包含二进値之暂存器来设定,二进状态之每一位元代表各别之控制线之状态。13.如申请专利范围第12项之晶体振荡器电路,其中二进値按照在振荡器输出所测之频率来决定。14.一种由一晶体振荡器电路提供一所需输出频率之方法,该方法包含调整晶体振荡器之负载电容器以获得所需之输出频率之步骤及按照所选之负载电容器之使用曳动一晶体心电流之步骤。15.如申请专利范围第14项之方法,其中负载电容器之调整,由一排电容器,在电路中将电容器关入或打开而达成之。16.如申请专利范围第15项之方法,其中在排中之每一电容器可单独在电路中关入或打开。17.如申请专利范围第14至16项之任何一项之方法,其中晶体心电流由一排电阻器中将电阻器在电路中关入或打开来曳动。18.如申请专利范围第17项之方法,其中每一电阻器可单独在电路中关入或打开。19.如申请专利范围第14至16项之任何一项之方法,其中由一多数之控制线将电容器或电阻器在电路中关入或打开20.如申请专利范围第17项之方法,其中由一多数之控制线将电容器或电阻器在电路中关入或打开21.如申请专利范围第18项之方法,其中由一多数之控制线将电容器或电阻器在电路中关入或打开22.如申请专利范围第19项之方法,其中控制线之状态由包含有一二进値之暂存器来设定,二进値之每一位元代表各别之控制线之状态。23.如申请专利范围第20项之方法,其中控制线之状态由包含有一二进値之暂存器来设定,二进値之每一位元代表各别之控制线之状态。24.如申请专利范围第21项之方法,其中控制线之状态由包含有一二进値之暂存器来设定,二进値之每一位元代表各别之控制线之状态。25.如申请专利范围第22项之方法,其中二进値按照振荡器在输出所测量之频率来设定。26.如申请专利范围第23项之方法,其中二进値按照振荡器在输出所测量之频率来设定。27.如申请专利范围第24项之方法,其中二进値按照振荡器在输出所测量之频率来设定。28.如申请专利范围第14至16项中任何一项之方法,其中所需频率为在晶体振荡器电路生产时所设定者。29.如申请专利范围第17项之方法,其中所需频率为在晶体振荡器电路生产时所设定者。30.如申请专利范围第18项之方法,其中所需频率为在晶体振荡器电路生产时所设定者。31.如申请专利范围第19项之方法,其中所需频率为在晶体振荡器电路生产时所设定者。32.如申请专利范围第22项之方法,其中所需频率为在晶体振荡器电路生产时所设定者。33.如申请专利范围第25项之方法,其中所需频率为在晶体振荡器电路生产时所设定者。图式简单说明:第一图示出按照所提发明之一晶体振荡器。 |
