半导体薄膜内包层放大光纤及其预制棒制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体薄膜内包层放大光纤及其预制棒制造方法。本半导体薄膜内包层放大光纤是由半导体薄膜内包层放大预制棒拉制而成的，预制棒由芯棒、内包层和外包层组成，内包层夹在芯棒和外包层之间，芯棒是由掺杂GeO₂的石英材料构成，它的折射率要大于外包层的纯石英材料；内包层为薄膜包层，是由具有放大功能的活性半导体直接带隙材料构成；而外包层是由纯石英构成。其预制棒制造方法的工艺过程及步骤为：(a)采用改进化学气相沉积工艺制造芯棒；(b)制作外包层；(c)制作薄膜内包层；(d)采用插棒技术装配；(e)缩棒。本方法制造的预制棒具有半导体性能稳定、材料分解少等特点。本光纤适用于制备具有集成化、增益谱宽、高效泵浦、输出功率高、便于结构小型化，且使用方便，价格低廉的光纤放大器。

主权项

1.一种半导体薄膜内包层放大光纤，是由半导体薄膜内包层放大预制棒拉制而成，该预制棒由芯棒、内包层和外包层组成，内包层夹在棒芯和外包层之间，其特征在于芯棒是由掺杂GeO2的石英材料构成，它的折射率要大于外包层的纯石英材料；内包层为薄膜包层，是由具有放大功能的活性半导体直接带隙材料构成；而外包层是由纯石英构成。