共振器件的制造方法

摘要

本发明提供一种共振器件的制造方法，在硅基板上形成压电体和电极，压电体和电极利用光刻形成图形。蚀刻硅基板，形成结构体。在结构体的至少一个面形成保护膜。蚀刻未形成保护膜的结构体的面，获得共振器件。一面测定共振频率，一面沿结构体的厚度方向蚀刻该结构体。借此，可以将共振器件的共振频率和失调频率调整为规定的值。

主权项

1.一种共振器件的制造方法，包括在硅基板的面上形成压电体层及电极层的工序，蚀刻前述硅基板形成结构体的工序，所述结构体具有第一面和第二面及第三面，前述第三面对应于前述硅基板的所述面，前述第二面与前述第三面平行，前述第一面与前述第三面不平行，在形成前述结构体工序之后，在与前述硅基板的上面交叉的前述结构体的第一面上形成保护膜的工序，在形成前述保护膜的工序之后，蚀刻与前述硅基板的上面平行的前述结构体的第二面的工序，在蚀刻前述结构体的前述第二面的工序之间，进一步包括测定前述结构体的共振频率的工序，蚀刻前述结构体的前述第二面的工序，包括基于前述测定的共振频率控制蚀刻前述结构体的前述第二面的量的工序。