| 摘要 |
Ein Substrat (10) aus GaAs ist durch Dünnschleifen auf eine Dicke (d) von höchstens etwa 10 mum bis etwa 30 mum reduziert und besitzt Eigenschaften einer Folie, die ein Brechen des Substrates verhindern. Eine Metallisierung kann rückseitig auf das Substrat aufgebracht sein. Die thermischen Eigenschaften sind verbessert, da die Wärme besser auf die Rückseite des Substrates abgeführt werden kann. Die geringere Abmessung und die gute Wärmeableitung ermöglichen die Verwendung kleinerer Gehäuse. In das Substrat können äußerst kleine Löcher (micro via holes) geätzt und mit Kontaktlochfüllungen versehen sein. |
