| 摘要 |
Ce dispositif optique à semi-conducteurs possédant une fonction de passage par zéro est constitué par un thyristor à photo-déclenchement (11) commandé par un signal de photo-déclenchement, et par un transistor à effet de champ MOS (MOSFET) (13) et une diode Zener (14) formées monolithiquement dans le même substrat semi-conducteur (16). Un chemin de courant entre la source et le drain du MOSFET (13) est relié entre la porte et la cathode du thyristor à photo-déclenchement (11). Le MOSFET (13) commande la sensibilité de la porte du thyristor à photo-déclenchement (11). La diode Zener (14) est reliée par son anode à la cathode du thyristor à photo-déclenchement (11) et est reliée par sa cathode à la porte du MOSFET (13). La diode Zener (14) protège le film d'oxyde (19) de la porte du MOSFET (13) d'un claquage de l'isolation. La diode Zener (14) est pourvue d'une partie photoréceptrice (37) qui travaille comme une photodiode lorsqu'elle est irradiée avec le signal de photo-déclenchement. Lors de l'irradiation avec le signal de photo-déclenchement, un courant produit par la diode Zener (14) s'écoule depuis la porte du MOSFET (13) vers la cathode du thyristor à photo-déclenchement (11). Ce courant supprime l'agumentation de la tension de porte du MOSFET (14). |
