摘要 |
本案系指一种雷射微加工处理全光纤型元件之制作方法,系直接对光纤之部分光壳施以雷射切削去除,使得光纤内的消逝场(evanescent field)能够裸露出来,切削的深度可藉由量测雷射光干涉条纹间距的方法得知;雷射切削形成的消逝场之作用长度则可透过改变光纤曲率半径控制。将侧削后之光纤彼此靠合,使其光消逝场能够发生耦合后予以加热熔合或施以熔烧拉锥(fuse–tapering),即可用来制作光纤耦合器、光塞取多工器(add/drop multiplexer)、光纤窄波道多工/解多工器及光纤光栅等光纤元件。 |