| 发明名称 | 具有举升之源极区与汲极区之非挥发性记忆体 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种非挥发性记忆体，其具有一变化通道区介面，例如一举升之源极与汲极或一凹入通道区。 | ||
| 申请公布号 | TW200805575 | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | TW096125136 | 申请日期 | 2007.07.10 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 廖意瑛 |
| 分类号 | H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||