发明名称 VARIABLE VOLTAGE GENERATION CIRCUIT AND MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME
摘要 가변 전압 발생 회로는, 제1 증폭 회로 및 제2 증폭 회로를 포함한다. 상기 제1 증폭 회로는, 기준 전압, 제1 피드백 전압, 동작 온도에 따라 변화하는 온도-변동 전압 및 상기 동작 온도에 관계없이 고정된 온도-고정 전압에 기초하여 상기 동작 온도의 변화에 따라서 제1 전압 범위에서 변화하는 제1 출력 전압을 발생하고, 상기 제1 출력 전압에 기초하여 상기 제1 피드백 전압을 발생한다. 상기 제2 증폭 회로는 상기 제1 피드백 전압, 제2 피드백 전압, 상기 온도-변동 전압 및 상기 온도-고정 전압에 기초하여 상기 동작 온도의 변화에 따라서 상기 제1 전압 범위보다 큰 제2 전압 범위에서 변화하는 제2 출력 전압을 발생하고, 상기 제2 출력 전압에 기초하여 상기 제2 피드백 전압을 발생한다.
申请公布号 KR20160139564(A) 申请公布日期 2016.12.07
申请号 KR20150074685 申请日期 2015.05.28
申请人 삼성전자주식회사 发明人 추교수;유필선;권덕민;유충호
分类号 G11C5/14;G11C7/04;G11C7/06 主分类号 G11C5/14
代理机构 代理人
主权项
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