VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE AND PROGRAM METHOD THEREOF

摘要

본 발명에 따른 가변 저항 메모리 장치는 가변 저항 메모리 셀, 상기 가변 저항 메모리 셀의 일단에 쓰기 전압을 전달하는 스위치, 그리고 상기 일단의 전압 변동을 감지하여 상기 가변 저항 메모리 셀이 타깃 상태로 프로그램될 때 상기 쓰기 전압을 차단하도록 상기 스위치를 제어하는 트리거 회로를 포함한다.