发明名称 NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE AND A NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER INCORPORATING A PORTION OF SAME
摘要
申请公布号 EP1196971(B1) 申请公布日期 2004.09.22
申请号 EP20000948705 申请日期 2000.07.14
申请人 AGILENT TECHNOLOGIES, INC. (A DELAWARE CORPORATION) 发明人 TAKEUCHI, TETSUYA;WATANABE, SATOSHI;KANEKO, YAWARA;YAMADA, NORIHIDE;AMANO, HIROSHI;AKASAKI, ISAMU
分类号 H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/34;H01S5/00;H01S5/20;H01S5/32;H01S5/323;H01S5/343;(IPC1-7):H01S5/323 主分类号 H01L33/06
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利