静电放电保护电路

摘要

本发明提供一种静电放电保护电路，其包含一半导体衬底、三设置于该半导体衬底上的第一、第二及第三P型阱，该第一P型阱上设置有一第一P⁺掺杂区及一第一N⁺掺杂区，该第一P⁺掺杂区及该第一N⁺掺杂区接地，该第二P型阱上设置有一第二P⁺掺杂区及一第二N⁺掺杂区，该第二P⁺掺杂区及该第二N⁺掺杂区连接于电源供应电压V_DD，该第三P型阱上设置有一第三N⁺掺杂区、一第三P⁺掺杂区、及一第四N⁺掺杂区，该第三N⁺掺杂区、该第三P⁺掺杂区及第四N⁺掺杂区用来输出入信号。

主权项

1.一种用于一宽带射频电路的静电放电保护电路，该静电放电保护电路包含有：一第一静电放电保护单元，用以连接至该宽带射频电路的集成电路芯片的接脚；一第二静电放电保护单元，用以连接至该宽带射频电路的内部电路；以及至少一第三静电放电保护单元，位于该第一静电放电保护单元以及该第二静电放电保护单元间，其中该第一静电放电保护单元、该第三静电放电保护单元以及该第二静电放电保护单元呈串接状，且该第三静电放电保护单元的布局面积小于该第一静电放电保护单元以及该第二静电放电保护单元的布局面积。