| 摘要 |
ドリフト領域（２４）、ｎ型ドリフト領域内に形成されたＰウエル領域（２０）、Ｐウエル領域（２０）内に形成されたＮウエル領域（２２）、Ｎウエル領域（２２）内に形成されたＰベース領域（３２）及びカソード領域（３６）を有するクラスター化絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＣＩＧＢＴ）。１本以上のトレンチ（４０）が素子に形成され、縦方向にドリフト領域（２４）及び、必要に応じて、Ｐウエル領域（２０）と交差し、横方向にベース領域（３２）、Ｎウエル領域（２２）及びＰウエル領域（２０）とも交差するように、構成される。トレンチ（４０）の内表面上に絶縁膜が形成され、実質的にトレンチを埋め、ゲートを形成するように、絶縁膜上にゲート酸化物が形成される。 |
