| 发明名称 | 集成电路的电容结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种集成电路的电容结构及其制造方法。提供一基底，其上具有一第一导体层。形成一第一绝缘层于基底上，并覆盖第一导体层。形成一沟槽于部分第一绝缘层中。形成一下电极于沟槽的侧壁上。形成一顺应的介电层于下电极与槽沟的底部上。形成一双镶嵌开口于第一绝缘层中，该开口底部是露出第一导体层。将一导体材料填满沟槽与双镶嵌开口，而同时形成一上电极与一内联机结构。其中，下电极是借由内联机结构而电性连接第一导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN1585108A | 申请公布日期 | 2005.02.23 |
| 申请号 | CN200410032793.1 | 申请日期 | 2004.04.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 忻斌一;魏正泉 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/02;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种集成电路的电容结构的制造方法，包括下列步骤：提供一基底，其上具有一第一导体层与一第一绝缘层覆盖于其上；形成一沟槽于部分该第一绝缘层中；形成一下电极于该沟槽的侧壁上；形成一顺应的介电层于该下电极与该槽沟的底部上；形成一双镶嵌开口于该第一绝缘层中，该开口底部是露出该第一导体层；以及将一导体材料填满该沟槽与该双镶嵌开口，而同时形成一上电极与一内联机结构；其中，该下电极是借由该内联机结构而电性连接该第一导体层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||