发明名称 | 含碳的氮化铝烧结体,用于半导体制造/检测设备的基材 | ||
摘要 | 本发明目的是提供一种能保持10<SUP>8</SUP>Ω·cm或更大的体积电阻率的氮化铝烧结体,能保证覆盖能力,大的辐射热量和用温度显示器测定时的准确度。本发明的含碳氮化铝烧结体在其氮化铝构成的基体中包含在X射线衍射图中检测不到峰或其峰低于检测下限的碳。 | ||
申请公布号 | CN1193961C | 申请公布日期 | 2005.03.23 |
申请号 | CN00812464.7 | 申请日期 | 2000.05.12 |
申请人 | IBIDEN股份有限公司 | 发明人 | 伊藤康隆;平松靖二 |
分类号 | C04B35/581 | 主分类号 | C04B35/581 |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 周承泽 |
主权项 | 1.一种含碳的氮化铝烧结体,在其氮化铝构成的基体中包含在X射线衍射图中检测不到峰或其峰低于检测下限的碳,所述碳是无定形碳或在氮化铝结晶相中形成固溶液的碳。 | ||
地址 | 日本岐阜县 |