发明名称 含碳的氮化铝烧结体,用于半导体制造/检测设备的基材
摘要 本发明目的是提供一种能保持10<SUP>8</SUP>Ω·cm或更大的体积电阻率的氮化铝烧结体,能保证覆盖能力,大的辐射热量和用温度显示器测定时的准确度。本发明的含碳氮化铝烧结体在其氮化铝构成的基体中包含在X射线衍射图中检测不到峰或其峰低于检测下限的碳。
申请公布号 CN1193961C 申请公布日期 2005.03.23
申请号 CN00812464.7 申请日期 2000.05.12
申请人 IBIDEN股份有限公司 发明人 伊藤康隆;平松靖二
分类号 C04B35/581 主分类号 C04B35/581
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 周承泽
主权项 1.一种含碳的氮化铝烧结体,在其氮化铝构成的基体中包含在X射线衍射图中检测不到峰或其峰低于检测下限的碳,所述碳是无定形碳或在氮化铝结晶相中形成固溶液的碳。
地址 日本岐阜县