发明名称 低温离子植入方法及低温离子植入机
摘要 一种低温离子植入方法包含以下步骤:预冷(pre-cool)来自一前开式传送盒的一工件至一较低温度,以配合低温离子植入的一工艺配方(recipe);根据工艺配方对工件进行离子植入;及在工件被送回前开式传送盒前,后热(post-heat)工件至一较高温度。一种离子植入机包含:一处理室、一前开式传送盒、一冷却模块及一加热模块。在处理室内依一工艺配方一工件进行离子植入。前开式传送盒传送一工件进出处理室。冷却模块设置于处理室之外,且能在工件进行离子植入前,将工件预冷到一较低温度,以配合工艺配方。加热模块设置于处理室之外,且能在工件回到前开式传送盒前,后热工件到一较高温度。
申请公布号 CN105789033A 申请公布日期 2016.07.20
申请号 CN201610017577.2 申请日期 2016.01.12
申请人 汉辰科技股份有限公司 发明人 安瓦尔·侯塞因;应子原;盛天予
分类号 H01L21/265(2006.01)I;H01J37/302(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I 主分类号 H01L21/265(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 徐伟
主权项 一种低温离子植入方法,其特征在于,包含下列步骤:将一工件预冷至一第一温度,以符合一低温离子植入的一工艺配方;根据该工艺配方对该工件进行植入;及在该工件被送回一前开式传送盒前,在一装载舱后热该工件至一第二温度,且该第二温度高于该第一温度。
地址 中国台湾新竹县宝山乡新竹科学工业园区研新一路18号5楼