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Verfahren zum Herstellen eines Transistors (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) mit hoher Elektronenbeweglichkeit umfassend ein Substrat (101, 201, 301, 401, 501, 601, 701) mit einer Heterostruktur (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703), insbesondere eine AlGaN/GaN-Heterostruktur, mit den Schritten: Erzeugen (8030) einer Gateelektrode durch Strukturieren einer Halbleiterschicht, die auf die Heterostruktur (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703) aufgebracht ist, wobei die Halbleiterschicht (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704) insbesondere Polysilizium aufweist, Aufbringen (8040) einer Passivierungsschicht (105, 205, 305, 405, 505, 605) auf die Halbleiterschicht (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704), Bilden (8070) von Drainbereichen und Sourcebereichen indem erste vertikale Öffnungen erzeugt werden, die mindestens bis in die Heterostruktur (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703) reichen, Erzeugen (8080) von Ohmschen Kontakten in den Drainbereichen und in den Sourcebereichen durch teilweises Verfüllen der ersten vertikalen Öffnungen mit einem ersten Metall mindestens bis zur Höhe der Passivierungsschicht (105, 205, 305, 405, 505, 605), und Aufbringen (8090) einer zweiten Metallschicht auf die Ohmschen Kontakte, wobei die zweite Metallschicht über die Passivierungsschicht (105, 205, 305, 405, 505, 605) hinausragt. |
