发明名称 荧光材料和等离子体显示装置
摘要 本发明提供了一种荧光材料和一种等离子体显示装置,其荧光材料的亮度衰减和色度变化程度得到改善,而且其放电特性也得到改善,并且具有优异的初始特性。本发明的荧光材料是一种碱土金属铝酸盐荧光材料,其包含元素M(M指选自Nb、Ta、W和B的至少一种元素)。在该荧光材料中,荧光材料颗粒表面附近M的浓度高于荧光材料颗粒中M的总体平均浓度。本发明的等离子体显示装置包括等离子体显示板,其中布置有一种或多种颜色的多个放电单元,和与所述各种颜色的放电单元相对应的荧光材料层,并且其中通过用紫外线激发荧光材料层来发光。所述荧光材料层包括蓝色荧光材料,所述蓝色荧光材料是上述的荧光材料。
申请公布号 CN100448942C 申请公布日期 2009.01.07
申请号 CN200410074820.1 申请日期 2004.08.30
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 奥山浩二郎;头川武央;坂井全弘;白石诚吾;杉本和彦;青木正树;日比野纯一
分类号 C09K11/68(2006.01);H01J17/04(2006.01) 主分类号 C09K11/68(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 于辉
主权项 1、一种碱土金属铝酸盐荧光材料,其包含Eu作为发光中心,且包含元素M,所述元素M是选自Nb、Ta、W和B的至少一种元素,所述碱土金属铝酸盐包括由通式xBaO·(1-x)SrO·zMgO·5Al2O3表示的碱土金属铝酸盐,其中,0.60≤x≤1.00,1.00≤z≤1.05,并且相对于碱土金属铝酸盐,以Eu计包含0.40至1.70摩尔%的Eu,以W计包含0.04至0.80摩尔%的W,其中,荧光材料颗粒表面附近M的浓度高于整个荧光材料颗粒中M的平均浓度,所述荧光材料颗粒的表面附近是指从荧光材料颗粒表面至50纳米或更浅处的区域。
地址 日本大阪府