| 发明名称 | 编程多位闪存设备和相关设备的方法 | ||
| 摘要 | 提供了编程多位非易失性存储器设备的方法。多位非易失性存储器设备包括具有多个存储单元的存储单元阵列和电耦合至存储单元阵列的存储部件。将多位数据的第一位(FB)从存储部件编程到存储单元阵列中的多个存储单元的其中一个。利用数据反相将多位数据的第二位(SB)从存储部件编程到存储单元阵列中的多个存储单元的其中一个。还提供了相关的存储器设备。 | ||
| 申请公布号 | CN101145396A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200710170119.3 | 申请日期 | 2007.08.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 牟炫宣 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邵亚丽 |
| 主权项 | 1.一种编程多位非易失性存储器设备的方法，所述多位非易失性存储器设备包括具有多个存储单元的存储单元阵列和电耦合至存储单元阵列的存储部件，所述方法包括：将多位数据的第一位(FB)从存储部件编程到存储单元阵列中的多个存储单元的其中一个；和利用数据反相将多位数据的第二位(SB)从存储部件编程到存储单元阵列中的多个存储单元的其中一个。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||