| 摘要 |
플라즈마 처리 장치는, 처리 용기와, 처리 공간과 비처리 공간으로 처리 용기 내부를 구획하는 부재로서, 라디칼을 투과하며 또한 이온을 포착하는 이온 포착 부재와, 처리 공간에 배치된 배치대와, 비처리 공간에 제1 처리 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와, 처리 공간에 제2 처리 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와, 제1 처리 가스를 플라즈마화하는 고주파 전력을 공급함으로써, 비처리 공간에 있어서 라디칼 및 이온을 생성하는 제1 고주파 전원과, 제2 처리 가스를 플라즈마화하는 고주파 전력을 배치대에 공급함으로써, 이온 포착 부재에 의해 처리 공간에 투과되는 라디칼과는 별도로, 처리 공간에 있어서 라디칼 및 이온을 생성하는 제2 고주파 전원과, 제2 고주파 전원으로부터의 고주파 전력보다 주파수가 낮은 고주파 전력을 배치대에 공급함으로써, 처리 공간에 있어서 생성되는 이온을 피처리체에 인입하는 제3 고주파 전원을 구비한다. |
