首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
Semiconductor doping process
摘要
A method for making a semiconductor device, such as a power-MOS transistor, wherein dopant is introduced into the structure underlying a lead contact pad to create a conducting subregion which minimizes electrical conductive breakdown.
申请公布号
US4766094(A)
申请公布日期
1988.08.23
申请号
US19860842778
申请日期
1986.03.21
申请人
HOLLINGER, THEODORE G.
发明人
HOLLINGER, THEODORE G.
分类号
H01L21/225;H01L21/285;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;(IPC1-7):H01L21/385
主分类号
H01L21/225
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
加热装置、涂布、显影装置及加热方法
LED定位构造
惯性感测输入装置
母基材上的可移除系统
文件馈送装置
照明装置
液压防滑煞车系统之活塞
显示面板
投影显示光学系统及具有此光学系统的投影装置
背光模组
冷饮机
宠物提篮
宠物提篮
眼镜框
眼镜框
饰品(鱼) ZIERGEGENSTAND AUS GLAS ( FISCH )
会发光之按摩器
包装用容器
具有针型阵列坐垫之椅子
皮革