Compound semiconductors and manufacturing method thereof

摘要

본 발명은 우수한 파워 팩터 및 ZT값을 가짐으로써 열전 변환 성능이 우수하며, 특히 저온에서 열전 변환 성능이 뛰어난 화합물 반도체 물질을 개시한다. 본 발명에 따른 화합물 반도체는, Bi, Te 및 Se를 구비하는 매트릭스; 및 상기 매트릭스 내부에 배치된 p형 물질을 포함한다.