| 主权项 |
l﹒做电导物质图案的方法,其中包括:(i)将含光可硬化树脂的结膜电解淀积(electrodeposite )在电导物质表面上;(ii)藉着曝光辐射,将在电解淀积薄膜上的抗蚀剂与位于抗蚀剂下之区域的电解淀积膜同时硬化而形成预定之图案,因此留下电解淀积膜之其他预定区域未被覆盖,然后(iii)以溶剂去除电解淀积膜之未覆盖区域,而形成在其预定区域为裸露的电导物质而在其他预定区域为藉由被抗蚀剂覆盖之电解淀积膜硬化区域而稳固地黏着在电醇物质表面。2﹒依申请专利范围第2项之方法,其中电解淀积薄膜及抗蚀剂系因曝光辐射时其中感光基直接活化光交连作用而硬化。3﹒依申请专利范围第2项之方法,其中电解淀积薄膜为含有具与其中,不饱和基共纯之芳基或乙烯不饱和基之a,13乙烯不饱和酮基的环氧树脂与二级单胺之反应产物,而抗蚀剂为具该共轭不饱和酮基的环氧树脂。4﹒依申请专利范围第3项之方法,其中该环氧树脂为1,5-二(羟苯基)戊1,4-二烯-3酮的聚缩水甘油酝或其与只酚威海因之反应产物、或双酚缩水甘油醚或N,N'-二缩水甘油基海因与1,5-二(羟苯基)戊-1,4-二烯-3-酮的反应产物。5﹒依申请专利范围第l项之方法,其中电解淀积薄膜与抗蚀剂系因自由基引发聚合反应而硬化,电解淀积薄膜及/或抗蚀剂含有自由基光聚合反应引发剂。6﹒依申请专利范围第5项之方法,其中电解淀积薄膜含有可聚合的丙烯基及盐形成基。7﹒依申请专利范围第5项之方法,其中电解淀积薄膜为具羧墓及/或三级胺基与含至少两个丙烯基或甲基丙烯基单体的混合物8﹒依申请专利范围第6项之方法,其中抗蚀剂为具平均每分子至少超过1个可聚合丙烯系基物质。9﹒依申请专利范围第8项之方法,其中抗蚀剂在硷性水溶液中可冲洗,且具有可聚合之丙烯系基及至少一个羧基。10﹒依申请专利范围第l项之方法,其中电解淀积据膜及抗蚀剂系在阳离子光聚合反应引发剂存在下藉着阳离子聚合反应而硬化。11﹒如申请专利范围第10项之方法,其中电解淀积薄膜为二级单胺与含缩水甘油基的单丙烯系单体及至少一个其他之乙系单体的共聚物之部份缩水甘油基反应所得之树脂。12﹒依申请专利范围第11项之方法,其中抗蚀由环氧树脂 盐、金属盐或芳香系亚碘醯盐所组成。13﹒依申请专利范围第1项之方法,其中步骤(ii)系如下进行(a)在电解淀积薄膜上涂布一层抗蚀剂,(b)于预定之图案曝光辐射抗蚀剂层,前于曝光之区域光硬化抗蚀剂及其下之电解淀积薄膜,然后(c)去除辐射过之抗蚀剂层的未曝光区域。14﹒依申请专利范围第l项中之可电解淀积光可硬化树脂,其系为(A)含具与其中,不饱和基共轭之芳基或乙烯不饱和基之,乙烯不饱和铜基的环氧树脂与(B)二级单胺的反应产物。15﹒依申请专利范围第14项之树脂,其中二级单胺为烷醇胺。16﹒依申请专利范围第14项之树脂,其具有如下之化学式R1[CH2HC(OH)CH2N(R2)R 3]2 l其中R1代表含具与中,不饱和基共轭之芳基或乙烯不饱和基的,乙烯不饱和酮基的环氧树脂去除两个环氧基后之残余基,而R2及R3,分别代表C1-C12的烷基,且可视需要地为烃基所取代者,或R2及R33一起与所示之氮原子形成5或6原子的杂环物。17﹒依申请专利范围第16项之树脂,其中R1代表含至少一个化学式Ⅱ之基的环氧树脂的残余基:-O-Ar1-CH=CH-CO-CH=CH-Ar1-0- Ⅱ其中Ar1代表未取代或取代的次苯基。18﹒依申请专利范围第17项之树脂,其中R1代表如下化学式之基:[(XHC2CH (OH)CH2) -(YCH2CH (OH) CH2) n] p X-Ⅲ或[(YCH2CH (OH) CH2) -(XCH2CH (OH)CH2) n] p Y-其中X代表其中Ar1为未取代之次苯基的化学式Ⅱ的基;Y代表化学式V或化学式VI之基;Ar2代表未取代或取代的次苯基,R2及R3分别代表2至4个碳原子的羟基取代烷基;R4代表C1-C3的亚烃基;R5及R6分别代表氢原子或C1-C4的烷基;而m,n及p分别为正整数,且为使树脂具500至10,000之数目平均分子量者。 |
