| 主权项 |
1.一种在半导体基底上之绝缘层凹处中制造传导镶嵌结构之方法,镶嵌结构包括:一第一金属之湿层,及一第二金属之传导层,该第一与第二金属具有一反应温度,在该温度时,它们彼此反应,以产生一中间金属,该方法包括:a)沈积该湿层与该凹处中之绝缘层相接,b)在该湿层上沈积一均匀障壁层,该障壁层上包括一组合物,可避免该第一与第二金属低于一大过该反应温度之扩散温度;以及c)在低于该扩散温度下,沈积该传导层于障壁层上。2.如申请专利范围第1项之制造传导镶嵌结构之方法,其中步骤(b)更包括:以化学气体沈积法沈积该障壁层。3.如申请专利范围第1项之制造传导镶嵌结构之方法,其中第一金属包括钛,而第二金属包括铝。4.如申请专利范围第3项之制造传导镶嵌结构之方法,其中该障壁层包括一组合物,选自由氮化钛,氮化钽,三铝化钛,钨,氮化钨,及其各式组合所组成之群。5.如申请专利范围第4项之制造传送镶嵌结构之方法,其中该障壁层为一氮化钛,而该扩散温度约为430℃。6.如申请专利范围第1项之制造传导镶嵌结构之方法,其中步骤(c)不能在高于该扩散温度下执行。7.一种在半导体基底绝缘层凹处中之传导镶嵌结构,该结构包括:一具有第一金属与该凹处中绝缘层相接之湿层;一于湿层上之均匀障壁层;以及一于该障壁层上具有第二金属之传导层;其中该障壁层具有一高于反应温度之扩散温度,在此反应温度时,第一与第二金属互相反应。8.如申请专利范围第7项之传导镶嵌结构,其中第一金属包括钛,而第二金属包括铝。9.如申请专利范围第8项之传导镶嵌结构,其中该障壁层包括一成分,该成分系选自由氮化钛,氮化钽,三铝化钛,钨,氮化钨,及其各式组合所组成之群。10.如申请专利范围第8项之传导镶嵌结构,其中该镶嵌结构为一双重镶嵌结构。图示简单说明:第一图为剖面图示意说明一具有两个渠沟之绝缘层:左为一单一镶嵌结构,右为一双重镶嵌结构;第二图为剖面图示意说明第一图中之绝缘层,在其凹处沈积一湿层;第三图为剖面图示意说明第二图中之绝缘层,在湿层上沈积一障壁层;第四图为剖面图示意说明第三图中之绝缘层,在障壁层上沈积一传导层;第四图A为剖面图示意说明第四图之绝缘层,使用了标准移除方法除去沈积在绝缘层上方之湿,障壁,与金属层部分;第五图为上视图示意说明一典型可靠性测试电路结构;第五图A示意说明第五图中之线5A-5A;及第五图B为示意说明第五图中之线5B-5B。 |
