| 主权项 |
1.一种形成用于半导体元件中可熔连接线之空腔的方法,其包含步骤:施加一可蚀刻材料在部分的可熔连接线之上和附近;镀着一保护层在该可蚀刻材料上;形成一贯穿该保护层,而又贴近该可蚀刻材料之通路;移除该可蚀刻材料,而留下一空腔;及用回填材料补充该通路。2.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该通路之步骤,包含:外加一层光阻遮罩,并将其曝光和显影,以形成该通路会位在其下之蚀刻孔洞;非等向性蚀刻该保护层,以形成贴近该可蚀刻材料之该通路。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该可蚀刻材料系利用对该可蚀刻材料有高选择性之等向性蚀刻移除。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该回填材料具有设定的黏性,而使得该空腔保持不被填充。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该可蚀刻材料系由氮化物制成的。6.如申请专利范围第4项之方法,其中该保护层系由氧化物制成的。图式简单说明:第1图为典型的DRAM积体电路;第2图为具有可熔连接线之传统DRAM单胞的电路图;及第3a图到3c图为根据本发明,制造各阶段之可熔运接线的横截面图。 |
