| 主权项 |
1.一种半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,用以将至少一半导体元件连接于至少一物件,该半导体元件包含至少一第一种凸块,该半导体元件经由凸块连接其他物件之方法包含下列步骤:在该物件形成一第二种凸块,该第二种凸块的熔点高于该第一种凸块;将该第一种凸块与该第二种凸块彼此对着接触;以及执行一加温作业,使该第一种凸块熔解但该第二种凸块不熔解。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,其中该第一种凸块为63锡/37铅之合金,该第二种凸块为90铅/10锡之合金。3.如申请专利范围第1项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,其中在该物件形成该第二种凸块的步骤系采用电镀技术。4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,其中该加温作业系对该第一种凸块施以回焊。5.如申请专利范围第1项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,其中该物件系为一基板与一导线架等两者中的任一者。6.如申请专利范围第1项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,其中该第一种凸块与该第二种凸块等两者中的一者在另一者之上方。7.如申请专利范围第1项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,更包含一步骤:利用一外力,让该第一种凸块与该第二种凸块彼此相对而紧密接触。8.如申请专利范围第7项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,其中该第一种凸块与该第二种凸块等两者中的一者在另一者之上方,该外力系重力。9.如申请专利范围第1项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,更包含一步骤:利用一外力,使该半导体元件与该物件,在凸块熔解时,会逐渐接近。10.如申请专利范围第1项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,该加温作业使该第一种凸块的温度达到该第一种凸块的熔点,但该第二种凸块的温度低于该第二种凸块的熔点。11.如申请专利范围第1项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,该加温作业持续到该第一种凸块完全熔解,而该第一种凸块与该第二种凸块等两者中熔点较高者同时接触该半导体元件与该物件。12.一种半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,用以将至少二半导体元件连接于一物件,该半导体元件至少包含一第一种凸块,该物件包含一第一物件连接面与一第二物件连接面,该第一物件连接面与该第二物件连接面方向相反,该半导体元件经由凸块连接其他物件之方法包含下列步骤:在该第一物件连接面与该第二物件连接面各形成至少一第二种凸块,该第二种凸块的熔点高于该第一种凸块的熔点;将各该半导体元件的该第一种凸块分别与该等物件连接面的该第二种凸块彼此对着接触;以及执行一加温作业,使该第一种凸块的温度达到该第一种凸块的熔点,但该第二种凸块的温度低于该第二种凸块的熔点。13.如申请专利范围第12项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,其中在该第一物件连接面与该第二物件连接面形成该第二种凸块的方式系采用电镀技术。14.如申请专利范围第12项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,更包含一步骤:利用一外力,让该第一种凸块与该第二种凸块彼此相对而紧密接触。15.如申请专利范围第12项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,其中该物件系为一基板与一导线架等两者中的任一者。16.如申请专利范围第15项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,更包含一步骤:利用一外力,让该第一种凸块与该第二种凸块彼此相对而紧密接触,该等晶片与该第一物件连接面、该第二物件连接面等趋于互相平行,并且在凸块熔解时,该等晶片逐渐接近该物件。17.一种半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,用以将至少一半导体元件连接于一物件,该半导体元件经由凸块连接其他物件之方法包含下列步骤:在该物件形成至少一物件凸块;将一固态可熔物置于该物件凸块与该半导体元件之间,并且同时接触该物件凸块与该半导体元件,其熔点低于该物件凸块与该半导体元件;执行一加温作业,使该固态可熔物熔解,而该物件凸块与该半导体元件不会熔解,直到熔解的该固态可熔物连接着该物件凸块与该半导体元件。18.如申请专利范围第17项所述之半导体元件经由凸块连接其他物件之方法,更包含下列步骤:利用一外力,在该固态可熔物熔解时,让该半导体元件与该物件凸块逐渐接近,直到彼此接触。图式简单说明:图1a~1c说明习知晶片经由凸块连接导线架的方法。图2~6说明本案半导体元件藉由凸块连接于其他物件的方法之一实施例。图7a~7b说明本案半导体元件藉由凸块连接于其他物件的方法之另一实施例。图8~12说明本案半导体元件藉由凸块连接于其他物件的方法之再一实施例。 |
