| 主权项 |
1.一种自行对准接触窗的制造方法,至少包括:提供一半导体底材,该半导体底材至少具有一闸极以及一源极/汲极,且在该闸极侧壁形成一第一间隙壁;沈积一第一绝缘层覆盖在该半导体底材上;形成一硬罩幕层在该第一绝缘层上;沈积一第二绝缘层覆盖于该硬罩幕层上;去除该第二绝缘层;蚀刻该硬罩幕层与该第一绝缘层直到暴露出部份该第一间隙壁,因而残留部份该第一绝缘层位于该第一间隙壁之间;沈积一导电层覆盖在该缺口状区与该硬罩幕层上方;回蚀刻该导电层以形成一第二间隙壁;及蚀刻该第一绝缘层直到暴露该底材之表面,以形成一自行对准接触窗。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述之半导体底材至少包含矽。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述之第一间隙壁是一闸极间隙壁。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述之第一绝缘层是一氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述之第二绝缘层是一氧化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述之硬罩幕是使用氮氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述之硬罩幕是使用氮化矽。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述之导电层是使用复晶矽。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述之去除第二绝缘层是利用化学机械研磨方式,并藉以达到平坦化该硬罩幕层的结果。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述之第二间隙壁是一复晶矽间隙壁。11.一种增加自行对准接触窗边界与准确性的制造方法,该方法至少包括:提供一半导体底材,该半导体底材至少具有一闸极以及一源极/汲极,且在该闸极侧壁形成一闸极间隙壁;沈积一第一氧化矽层覆盖在该半导体体底材上;形成一硬罩幕层在该第一氧化矽层上;沈积一第二氧化矽层覆盖于该硬罩幕层上;进行化学机械研磨法将该第二氧化矽层去除,以平坦化该硬罩幕层;蚀刻该硬罩幕层与该第一氧化矽层,形成一具缺口状区的该第一氧化矽层位于该闸极间隙壁之间;沈积一复晶矽层覆盖在该半导体底材的该缺口状区与该硬罩幕层上方;蚀刻该复晶矽层以形成一复晶矽间隙壁;及蚀刻该具缺口状区的该第一氧化矽层以形成一自行对准接触窗。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中上述之半导体底材至少包含矽。13.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中上述之硬罩幕是使用氮氧化矽。14.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中上述之硬罩幕是使用氮化矽。15.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中上述之第二氧化矽层是提供一牺牲层之作用。16.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中上述之缺口状区会暴露出部份该闸极侧壁和部份该闸极间隙壁。17.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中上述之复晶矽间隙壁是利用非等向性乾蚀刻方式形成。18.如申请专利范围第16项所述之制造方法,其中上述之复晶矽间隙壁是形成在该缺口状区处的闸极侧壁。图式简单说明:第一图是传统习知技艺形成接触窗之电晶体制程,这是一个在其形成的内复晶矽介电层过程中,有孔洞存在的电晶体结构剖面图。第二图是传统习知技艺形成接触窗之电晶体制程,此剖面图是显示形成不对准接触窗的结构。第三图A至第三图F是本发明之最佳实施例,关于形成自行对准接触窗结构制程的剖面图。 |
