拉单晶室

摘要

本发明之拉单晶室之特征为，在备有从上阶层的吹出口吹出乾净空气，从下阶层的回风管吸入的循环型空调系统，且构成至少二层以上之多阶层构造的拉单晶室内，将附属于单结晶拉晶机而设置于下阶层的机器设备中，其常用温度较拉单晶室之室温高10℃以上的机器设备，设置于回风管近旁，或在前述机器设备的上部设置诱导风管。如此作法，可排除肇因于该功能上会发热的机器设备而发生的上升气流及下降气流的乱流，并且不妨碍拉单晶机附属机器的维修作业，维持拉单晶室之乾净度及最适温度状态，以提升单结晶之生产率，提供能制造高品质的单结晶棒而且备有空调系统之拉单晶室。

主权项

1.一种拉单晶室,其特征为:在备有从上阶层的吹出口吹出乾净空气,从下阶层的回风管吸回的循环型空调系统,且构成至少二层以上之多阶层构造之拉单晶室内,将附带于单结晶拉晶机而设置于下阶层的机器设备中,其常用温度较拉单晶室之室温高10℃以上之机器设备,设置于回风管近旁,或在前述机器设备的上部设置诱导风管。2.如申请专利范围第1项之拉单晶室,其中设置于前述回风管近旁的机器设备至少为真空泵。3.如申请专利范围第1项之拉单晶室,其中前述在上部设置诱导风管的机器设备为,电源装置、控制装置、排气管及冷却水回水配管。4.如申请专利范围第2项之拉单晶室,其中前述在上部设置诱导风管的机器设备为,电源装置、控制装置、排气管及冷却水回水配管。5.如申请专利范围第1项之拉单晶室,其中在前述诱导风管的中间配备送风机。6.如申请专利范围第2项之拉单晶室,其中在前述诱导风管的中间配备送风机。7.如申请专利范围第3项之拉单晶室,其中在前述诱导风管的中间配备送风机。8.如申请专利范围第4项之拉单晶室,其中在前述诱导风管的中间配备送风机。9.如申请专利范围第1项之拉单晶室,其中前述机器设备产生噪音时,在噪音产生源上游侧设置遮音墙。10.如申请专利范围第2项之拉单晶室,其中前述机器设备产生噪音时,在噪音产生源上游侧设置遮音墙。11.如申请专利范围第3项之拉单晶室,其中前述机器设备产生噪音时,在噪音产生源上游侧设置遮音墙。12.如申请专利范围第4项之拉单晶室,其中前述机器设备产生噪音时,在噪音产生源上游侧设置遮音墙。13.如申请专利范围第5项之拉单晶室,其中前述机器设备产生噪音时,在噪音产生源上游侧设置遮音墙。14.如申请专利范围第6项之拉单晶室,其中前述机器设备产生噪音时,在噪音产生源上游侧设置遮音墙。15.如申请专利范围第7项之拉单晶室,其中前述机器设备产生噪音时,在噪音产生源上游侧设置遮音墙。16.如申请专利范围第8项之拉单晶室,其中前述机器设备产生噪音时,在噪音产生源上游侧设置遮音墙。17.如申请专利范围第1项至第16项中任一项之拉单晶室,其中前述拉单晶室之地板面积为150m2以上。图式简单说明:第1图:本发明之拉单晶室之一例之概略图。第2图:以往之拉单晶室之概略图。