| 主权项 |
1.一种用于在基板(2)上放置半导体晶片(1')作为覆晶之装置,包括:翻转装置(6),其系用以翻转半导体晶片(1'),该翻转装置(6)会形成作为由支架(10),第一和第二旋转臂(11,12)和连接臂(13)所组成的平行四边形结构(10,11,12,13),且还包括握晶器(16)其系设置在连接臂(13)之上,及驱动系统(16,18,19),其系用以使该平行四边形结构(10,11,12,13)可在握晶器(16)接受牛导体晶片(1')之第一限制位置,和在握晶器(16)将半导体晶片(1)放在基板(2)上之第二限制位置之间向后和向前来回移动。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该平行四边形结构(10,11,12,13)系设置在可在垂直方向(8)移动之滑落架(9)之上,且支架(10)可相对于在垂直旋转轴(A1)上之滑落架(9)转动。3.如申请专利范围第1项之装置,其中平行四边形结构(10,11,12,13)的第一限制位置和第二限制位置,系藉由驱动系统(15,18,19)的延伸位置作机械上的界定。4.如申请专利范围第2项之装置,其中平行四边形结构(10,11,12,13)的第一限制位置和第二限制位置,系藉由驱动系统(15,18,19)的延伸位置作机械上的界定。5.如申请专利范围第1项之装置,其中施力单元(26)系设置在第一旋转臂(11)之上,其可以在放置时,在半导体晶片(1)和基板(2)之间产生要产生的力量。6.如申请专利范围第2项之装置,其中施力单元(26)系设置在第一旋转臂(11)之上,其可以在放置时,在半导体晶片(1)和基板(2)之间产生所要产生的力量。7.如申请专利范围第3项之装置,其中施力单元(26)系设置在第一旋转臂(11)之上,其可以在放置时,在半导体晶片(1)和基板(2)之间产生所要产生的力量。8.如申请专利范围第4项之装置,其中施力单元(26)系设置在第一旋转臂(11)之上,其可以在放置时,在半导体晶片(1)和基板(2)之间产生所要产生的力量。9.如申请专利范围第5项之装置,其中施力单元(26)具有一压力筒(27),当要将半导体晶片(1')放置在基板(2)之上时,其可以施加预定的压力,来作用在握晶器(16)上。10.如申请专利范围第6项之装置,其中施力单元(26)具有一压力筒(27),当要将半导体晶片(1')放置在基板(2)之上时,其可以施加预定的压力,来作用在握晶器(16)上。11.如申请专利范围第7项之装置,其中施力单元(26)具有一压力筒(27),当要将半导体晶片(1')放置在基板(2)之上时,其可以施加预定的压力,来作用在握晶器(16)上。12.如申请专利范围第8项之装置,其中施力单元(26)具有一压力筒(27),当要将半导体晶片(1')放置在基板(2)之上时,其可以施加预定的压力,来作用在握晶器(16)上。13.如申请专利范围第1项至第12项中任一项之装置,其中该装置系一晶粒焊接机,其系包括有从晶圆台(4)抓取半导体晶片(1),然后将其传送到翻转装置(6)之抓放系统(5)。图式简单说明:第1图为具有用以翻转半导体晶片之翻转装置的晶粒焊接机;第2图为该翻转装置的细部图;第3A到第3C图为在各种不同状态之翻转装置;第4图和第5图为具有施力单元之更详细的翻转装置;及第6图为施力单元。 |
