| 摘要 |
将复数个第III族氮化物化合物半导体层形成于基材上，以进行元件之形成及电极之形成。经由蚀刻或利用方粒切割器之方粒切割将分离线上之第III族氮化物化合物半导体层移除，以致仅残留在靠近基材侧上之电极形成层或没有第III族氮化物化合物半导体层残留于分离线上。将一保护膜形成于整个正面上。经由雷射光束辐照将分离沟槽形成于基材之正面中。将保护膜与经由雷射光束辐照所产生之反应产物一起移除。将基材1s之背面抛光以降低基材之厚度。接着在基材之背面中形成对应于晶格框架形状分离线之背面沟槽。沿分离线将基材分割成个别的元件。 |
